英特爾3D晶片 年底投產
【經濟日報╱編譯簡國帆／綜合外電】
2011.05.06 03:16 am
英特爾公司4日發表以3D技術製造處理器的最新製程，可提高晶片效能多達37%，並降低耗電量，預定年底前投產。
（美聯社） 全球最大半導體製造商英特爾公司（Intel）4日發表以3D技術製造處理器的最新製程(三維電晶體)，可提高晶片效能多達37%，並降低耗電量，預定年底前投產。英特爾說，這是半導體技術逾50年來最重大的突破。英特爾計劃把晶片的關鍵元件電晶體轉變為垂直的鰭狀架構，增加晶片的電晶體數量，其原理類似城市裡高聳的建築物能堆疊出更多辦公空間；該公司將成為第一家量產3D架構晶片的業者。
晶片設計師迄今都藉水平縮減電晶體的電路寬度，來提高晶片的電晶體密度，擠進更多電晶體，排列有如緊鄰的平房；但3D方式增加垂直面向，有助於容納更多電晶體，提高運作效能。
英特爾說，代號「Ivy Bridge」的新微處理器是首款採用3D三閘（tri-gate）電晶體的晶片，訂今年底前投產。英特爾主管也表示，首款微處理器產品將以高階桌上型電腦和伺服器系統為主要目標，可能明年初推出。
這款新晶片將率先採用22奈米製程，比現有32奈米體系更能密集堆疊電晶體。這項新技術也將提高智慧手機和平板電腦的運算效能，並加速企業資料中心的運作速度，使英特爾的產品領先其他對手一代。
主導新製程發展的英特爾資深院士波爾說：「英特爾將藉這項突破進一步領先其他半導體業者，新技術的低電壓和低功耗的優勢遠大過只是跨入新一代製程。」他說，在相同效能下，新技術的耗電量是英特爾目前製程的一半。
分析師指出，這款新晶片雖主打個人電腦，但英特爾的處理器將可藉由這項新技術的低耗電特性，打入手機和其他依賴電池供電的裝置市場。VLSI研究公司半導體產業分析師哈金森就說，這項3D架構創新將強化英特爾Atom產品和與安謀公司（ARM）晶片競爭的實力。
3D晶片=三維電晶體
電晶體在積體電路中主要是作為一種可變開關，依據輸入的電壓，控制電流，因此電晶體可做為電流的開關；傳統是機械開關，電晶體的開關速度可以非常快。
依據摩爾定律，每隔18個月，同樣面積的電晶體密度就增加一倍，意謂電晶體會愈縮愈小，縮到最後會碰到極限。
摩爾定律這樣的立論基礎，通常是二維（2D）電晶體的架構，也就是電晶體的增加，是往平面的方向發展。
工程師為在晶圓上擠入更多的電晶體，突破現有二維的架構，將電路往垂直方向延伸，也就是把電晶體堆疊起來，英特爾、台積電、IBM、三星等半導體大廠，均投入三維（3D）電晶體的研發。
半導體業者表示，半個多世紀以來，電晶體一直都在使用2D平面結構，但英特爾昨天宣布，完成全球首顆可以量產的三維電晶體（3D Tri-Gate），等於宣告電晶體進入3D時代。
依英特爾宣稱，開發成功的三維電晶體，比平面電晶體性能提升37% ，而且同等性能下耗電量減少一半，這意味著它們更加適合用於小型的行動載具。
【2011/05/06 經濟日報】
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台積 將跟進三維電晶體新技術
【經濟日報╱記者簡永祥／台北報導】
2011.05.06 03:16 am
英特爾昨（5）宣布完成晶片技術重大突破，將導入三維電晶體的晶片技術在22 奈米製程生產新款微處理器。台積電研發資深副總經理蔣尚義對此表示，在成本下降、上下游技術架構建立後，台積電即會導入三維電晶體。
2002年英特爾即投入三閘門（Tri Gate）的三維電晶體技術研發，經過多年的研究，日前終於突破技術瓶頸，預定在今年導入22奈米製程生產新款微處理器，且所產出的晶片，具備低電壓及低耗電等特性。
由於英特爾發表的時間正是台積電舉行年度的技術論壇之際，負責台積電先進製程技術研發的蔣尚義在向合作夥伴介紹台積電各製程進度時，也以英特爾這項成果，強調是「延伸」摩爾定律的一項重大突破。
摩爾定律是半導程製程演進的通則，每18個月，同樣面積的電晶體密度就增加一倍，象徵著成本可以下降三至五成。
蔣尚義強調，台積電很早投入這項技術研發，不過因台積電是提供晶圓代工服務，目前這項技術成本仍然相當昂貴，而且包括電子工程自動化（EDA）、製程設計套件及晶片驗證等上下游技術架構建立還不夠完善，台積電將不會在20奈米先進製程跟進採用這項技術，評估可能到14奈米才會導入。
蔣尚義強調，依照摩爾定律，若只單純追求晶片微小化，不到幾年，就會遭遇很大瓶頸。不過，透過系統微縮化，藉由新技術，可以達到晶圓微小化又能兼具高容量的要求，摩爾定律可由目前的28奈米再推進到7奈米。
他表示，台積電研發重心已移到20奈米製程，依照台積電技術藍圖，內部規劃明年下半年進行20奈米製程試產。
【2011/05/06 經濟日報】
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