力旺NeoBit矽智財,布局55奈米高壓先進製程有成時報記者沈培華台北報導 (2014-02-26 07:46:00)

嵌入式非揮發性記憶體廠商力旺電子(3529)宣布,力旺電子NeoBit單次可程式記憶體(One Time Programmable embedded non-volatile memory, OTP)矽智財成功拓展Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)應用,在已布局的0.18um、0.13um、80nm高壓製程平台外,更進一步於世界級晶圓代工廠的12吋55nm高壓先進製程,提供成熟的量產解決方案。

此先進製程能將晶片面積微小化,以更小尺寸的靜態隨機存取記憶體(SRAM)實現Full-HD畫質,同時提供具備低耗電的儲存單元,可為高解析度小尺寸顯示器驅動晶片客戶,依不同產品定位,提供全方位低耗電與輕巧體積的Full-HD畫質面板顯示方案。除此之外,55nm高壓先進製程更可積極做為超高畫質(Ultra HD, UHD) 甚至於超高解析度(Wide Quad HD, WQHD)顯示器SDDI的生產平台,將可協助驅動晶片客戶搶攻下一世代高階顯示器應用商機。
近年來手機、平板應用程式朝向多元化與娛樂化演進,消費者透過行動裝置進行影音娛樂活動的需求快速提升,促使主流產品市場更加注重高解析度的螢幕畫面、更長的電池壽命、與更輕薄的設計。這些市場趨勢,引領行動通訊裝置的解析度主流規格從WVGA/HD720推升至Full-HD高畫質,甚至朝向UHD、WQHD演進,也使得強調具備高畫質解析度、更小的晶片體積、以及省電低功耗設計等主流產品需求的規格,已成為現階段驅動晶片發展的必然趨勢。
以目前80nm、90nm高壓製程生產的驅動晶片,受限於SRAM存取速度及功耗問題,耗電較高、效能較不理想,難以滿足Full-HD SDDI對高容量SRAM的需求。然而,當顯示器朝向越高解析度演進,驅動晶片必然需要內含更多高容量的SRAM,此時如何縮小晶片體積、同時降低功耗便成為需要克服的挑戰。55nm高壓先進製程具備低耗電SRAM儲存單元,且可進一步微縮SRAM尺寸,適合採用做為Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片的生產平台。瞄準此市場趨勢,力旺電子領先於12吋晶圓55nm先進高壓製程布局,為Full-HD SDDI應用客戶提供已臻成熟良率的解決方案。

 

非揮發性記憶體IP專案增,力旺今年營運看旺

回應(0) 人氣(153) 收藏(0)2014/01/02 12:23



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力旺擬買回庫藏股 股價抗跌

2011/08/03 09:54 中央社

 

(中央社記者張建中新竹2011年8月3日電)嵌入式記憶體矽智財(IP)廠力旺電子 (3529) 今天起將買回3000張庫藏股,激勵股價逆勢走揚,表現抗跌。

 

力旺今年1月24日以每股新台幣70元掛牌上櫃,上櫃後股價一度創下141元天價,漲幅逾1倍,只是隨著今年業績滑落,上半年營收3.45億元,年減13.75%,股價也一路走低。

 

力旺股價最低曾達57.5元,跌破承銷價70元。

 

為捍衛股價,力旺決定自今天起至10月2日買回3000張庫藏股,買回區間價格為62.5至100.15元。

 

而在買回庫藏股激勵下,力旺今天股價表現抗跌,盤中一度達76元,逆勢大漲3.6元,漲幅達4.97%。

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