力旺NeoBit矽智財，布局55奈米高壓先進製程有成時報記者沈培華台北報導 (2014-02-26 07:46:00)

嵌入式非揮發性記憶體廠商力旺電子（3529）宣布，力旺電子NeoBit單次可程式記憶體（One Time Programmable embedded non-volatile memory, OTP）矽智財成功拓展Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片（SDDI）應用，在已布局的0.18um、0.13um、80nm高壓製程平台外，更進一步於世界級晶圓代工廠的12吋55nm高壓先進製程，提供成熟的量產解決方案。

此先進製程能將晶片面積微小化，以更小尺寸的靜態隨機存取記憶體（SRAM）實現Full-HD畫質，同時提供具備低耗電的儲存單元，可為高解析度小尺寸顯示器驅動晶片客戶，依不同產品定位，提供全方位低耗電與輕巧體積的Full-HD畫質面板顯示方案。除此之外，55nm高壓先進製程更可積極做為超高畫質（Ultra HD, UHD） 甚至於超高解析度（Wide Quad HD, WQHD）顯示器SDDI的生產平台，將可協助驅動晶片客戶搶攻下一世代高階顯示器應用商機。
近年來手機、平板應用程式朝向多元化與娛樂化演進，消費者透過行動裝置進行影音娛樂活動的需求快速提升，促使主流產品市場更加注重高解析度的螢幕畫面、更長的電池壽命、與更輕薄的設計。這些市場趨勢，引領行動通訊裝置的解析度主流規格從WVGA/HD720推升至Full-HD高畫質，甚至朝向UHD、WQHD演進，也使得強調具備高畫質解析度、更小的晶片體積、以及省電低功耗設計等主流產品需求的規格，已成為現階段驅動晶片發展的必然趨勢。
以目前80nm、90nm高壓製程生產的驅動晶片，受限於SRAM存取速度及功耗問題，耗電較高、效能較不理想，難以滿足Full-HD SDDI對高容量SRAM的需求。然而，當顯示器朝向越高解析度演進，驅動晶片必然需要內含更多高容量的SRAM，此時如何縮小晶片體積、同時降低功耗便成為需要克服的挑戰。55nm高壓先進製程具備低耗電SRAM儲存單元，且可進一步微縮SRAM尺寸，適合採用做為Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片的生產平台。瞄準此市場趨勢，力旺電子領先於12吋晶圓55nm先進高壓製程布局，為Full-HD SDDI應用客戶提供已臻成熟良率的解決方案。

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