與Soitec合作,F-IET漲停時報記者張漢綺台北報導 (2013-12-16 09:27:45)
F-IET英特磊(4971)因法國大廠-Soitec宣布與公司合作,讓英特磊成為Soitec主要客戶的第二供應商,擴大英特磊的服務市場,激勵F-IET今天股價強攻漲停板。
位於法國Bernin的Soitec公司,以製造創新的半導體材料領先世界,12日與美國德州Richardson英特磊科技公司(母公司F-IET,磷化銦(InP)、砷化鎵,銻化鎵(GaSb)光電應用磊晶片專業代工廠)簽署一項重要的合作協議,法國Soitec公司與英特磊科技美國子公司進行了一項合作協議,該合作協議包括Soitec對英特磊科技技術授權,讓英特磊科技成為Soitec主要客戶的第二供應商,擁有擴展市場的機會;協議中也包含Soitec生產機台對英特磊的轉讓。
Soitec資深副總裁兼通信及電力事業總經理Bernard Aspar表示:我們很高興宣布對英特磊技術授權,並成為我們主要客戶的第二供應商來源,這將使Soitec的客戶能夠以相對較低的成本取得品質更好的磊晶片。
英特磊科技總經理高永中博士表示,這項合作協議將加強我們的砷化鎵技術和產品知識,同時也提供Soitec客戶穩固的產品供應鏈。而且,這種合作夥伴關係可滿足客戶尋求可信賴的第二產品供應商的需求,同時也可讓彼此公司在各自的砷化鎵產品領域保持領先地位,客戶也可受惠於較低價與優質的磊晶片供應來源。
砷化鎵,是元素鎵和砷的化合物,屬III-V族半導體,應用在微波頻率積體電路,單片微波積體電路,紅外發光二極體,雷射二極體,太陽能電池和光窗器件的製造材料中。砷化鎵也常被作為對其它III-V族半導體包括砷化銦鎵和GaInNAs磊晶生長的基板材料。
F-IET:砷化鎵動能將轉弱,今年營收仍拚增1成
精實新聞 2013-08-23 17:33:12 記者 王彤勻 報導
III-V族半導體磊晶廠F-IET(英特磊,4971)今(23日)召開法說。F-IET總經理高永中(見附圖)指出,Q3砷化鎵雖因智慧型手機出貨面臨庫存調整,此部分營收將有下滑趨勢,不過F-IET將透過拓展高毛利的銻化鎵、磷化銦產品線,來彌補砷化鎵下滑的缺口。法人則估,F-IET雖因砷化鎵Q3動能將轉弱,不過因有來自銻化鎵、磷化銦的動能支撐,今年營收年增幅度,仍可望維持在1成的水準。
觀察2013年1~7月F-IET的產品組合,砷化鎵磊晶營收佔比約35.7%,磷化銦磊晶佔比40.3%,銻化鎵等其他磊晶合計佔4.9%,勞務佔約19.1%。高永中指出,未來F-IET仍期待砷化鎵、磷化銦、其他(含銻化鎵晶片等)的營收佔比分佈,能夠維持在40:40:20,並透過持續拉高磷化銦、銻化鎵等高毛利的產品線比重,來守穩獲利。
關於三大產品線下半年展望,高永中指出,砷化鎵營收上半年呈現持平,不過Q3拉貨力道有轉弱趨勢,主要是受智慧型手機庫存調整影響。不過,公司也將透過持續降低營運成本,以及積極爭取大廠訂單因應。尤其,他強調,F-IET生產砷化鎵的機台也可同時生產磷化銦,甚至也可以進行改裝來生產銻化鎵,因此F-IET也會根據訂單來調整機台配置,將短期衝擊降到最低。
銻化鎵方面,他則指出,F-IET上半年營收亦呈現穩定,不過,有兩個小型的政府合約,則因政府國防預算減少而延後。然而他強調,F-IET已獲得能源部SBIR-phase-II的2年計劃遴選通過,目前已進入議價階段,9月中可望有結果。此外,F-IET也持續擴充銻化鎵基板生產,自去年起,即開始針對銻化鎵做垂直整合,並於今年Q2成功發展出切片、研磨能力,目前F-IET的6吋銻化鎵廠,已經可以一路從長晶、切片、研磨做到磊晶的生長、測試,也是全球第一家有此能力者。至於磷化銦和銻化鎵產品線,高永中則持相對樂觀態度。他表示,F-IET上半年磷化銦營收維持穩定,且在亞洲市場見到不錯的成長,也因此公司將進一步拓展日、韓市場。此外,F-IET也安裝了4英吋多片MBE機台,以擴充這部分的產能。
F-IET日前已揭露Q2財報:營收季增26.14%來到1.69億元,創下單季歷史新高,毛利率、營益率各為43.23%、22.11%,優於Q1的36.57%、10.73%,稅後淨利季增1.7倍來到3753.7萬元,單季EPS則為1.44元。
總計F-IET上半年,營收年增15.23%來到3.03億元,惟毛利率較去年同期下滑近4個百分點,且因營業費用攀高,稅後淨利年減20.68%來到5143.8萬元,上半年EPS則為1.98元,低於去年同期的2.5元。
關於上半年毛利率相較於去年同期的下滑,高永中指出,主要是2012上半年磷化銦進入爆炸性成長,營收佔比也從原本的17%大升到40%,而大客戶當時拉的貨,對F-IET來講成本相對低、利潤高所致。不過,2012年中後F-IET開始與大客戶簽訂正式合約,價格、成本都趨向穩定化,2013年上半就是延續這樣的狀況。
此外,他表示,今年上半年營業費用較高,主要則是因為去年進來的新機台開始有折舊費用,加上F-IET掛牌後的一些費用、以及新增的磷化銦研發費用所致,也因此整體獲利受到一些影響。
全文網址: http://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=682a1653-6f8a-45d6-86c2-af622e46ca0d&c=MB010000#ixzz2d2pDVH00
MoneyDJ 財經知識庫
F-IET訂24日上櫃,長線營收年複成長目標拼3成
精實新聞 2013-07-08 18:02:30 記者 羅毓嘉 報導
III-V族半導體磊晶廠F-IET(英特磊,4971)預定於本月24日回台上櫃,總經理高永中(見附圖)表示,F-IET挾MBE(分子束磊晶)的設備自主能力,同時與國際級客戶結成密切夥伴關係、並持續強化高毛利率產品比重,成為F-IET競爭利基;F-IET董事長康潤生則指出,F-IET成立以來營收年均複合成長率(CAGR)達3成,未來也將以維持此一水平努力。
F-IET成立於1999年,實收股本為2.59億元,公司營運主體設立於美國德州,採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,產品應用範圍包括無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途,以及在太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品。
2010-2012年間,F-IET營收為3.82億元、5.52億元、5.58億元,因高毛利率的銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)比重提昇,毛利率從36.1%一路提昇至42.5%,催化F-IET近3年EPS自2.91元、3.59元,拉高到去年的4.53元,成長動能相當鮮明。
F-IET總經理高永中指出,相較於市場較為熟悉的MOCVD(有機金屬氣相沈積法)磊晶片,已有超過95%釋出給代工廠生產,採用MBE技術製造的磊晶則仍有很大的IDM廠委外商機,正是F-IET的機會所在。我國的另一磊晶廠全新(2455)即是採MOCVD製程生產砷化鎵HBT、pHEMT磊晶。
高永中說明,目前世界上僅存2家以MBE技術生產III-V族磊晶的廠商,除了F-IET之外,就是全球磊晶龍頭廠IQE,高永中看好來自無線開關(switch)、WLAN功率擴大器、乃至雲端、光通訊、紅外線雷達等應用,將成為推升磊晶片需求的主要引擎,帶動公司穩健的成長動能。
F-IET董事長康潤生表示,F-IET成立近15年來,在2001-2009年間的營收年均複合成長率達30%,儘管2010-2012年間受整體市況動盪影響,成長率有所下降,不過長線來看F-IET仍將以維持30%的CAGR為目標努力。康潤生同時也指出,F-IET不排除透過併購、策略聯盟等方式,來催化業績衝勁,目前已有案子在接洽,若成案將再對外說明。
展望今年營運狀況,高永中指出,預期今年度營收估較2012年小幅成長,不過因為今年毛利率較低的砷化鎵比重會較去年上升,因產品組合改變,預估純益率將較去年的21.6%微幅下滑;不過高永中強調,長期來看,F-IET的磷化銦、銻化鎵等高端產品的比重合計仍會往超過50%目標邁進。
觀察2012年F-IET的產品組合,砷化鎵磊晶佔比約39.6%,磷化銦磊晶佔比40.3%,銻化鎵等其他磊晶合計佔4.5%,其他勞務佔約15.6%。
全文網址: http://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=cd52052c-ae54-47f9-ad69-9b772db1554e&c=MB06#ixzz2YVlNpSxc
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