MoneyDJ新聞 2019-06-14 13:15:50 記者 萬惠雯 報導
記憶體大廠華邦電(2334)於今(14)日召開股東常會，董事長焦佑鈞(見圖)表示，去年第四季到今年第一季的記憶體產業環境很差，目前看來最壞的時間已過，目前稼動率回升至85%的水準，下半年會比較好，但在5G/AI等應用興起後，長期仍是看好記憶體市場回升。
華邦電2018年每股獲利1.87元，擬配發1元現金股利。今年以來則受到記憶體跌價影響，前5月營收衰退11%；以華邦電的營運結構，DRAM和flash占比重各5成的水準。
焦佑鈞表示，今年雖然記憶體產值下滑，但以長期來看，包括5G/AI等應用推升各類物聯網裝置的興起，將會對記憶體需求有推升的作用，長期記憶體仍是成長趨勢；但以今年來說，在中國貿易戰等因素下，各類應用需求有放緩現象，包括電腦、伺服器以及手機市場等。
面對中國記憶體廠商也宣稱將生產DRAM產品，總經理詹東義表示，華邦電做高品質的產品已近10年，華邦電的策略是即便中國競爭者來了，但華邦電是以品質以及產品區隔來作為競爭力，甚至可以與中國市場做互補，在高品質的中高階市場努力，也較有獲利率。
華邦電強調自主研發，在記憶體產業，只有四家自行研發，包括三星/SK海力士/美光/Toshiba，但中低容量只有華邦電有自主研發，但Toshiba只做Nand flash，若只就DRAM產業，華邦電則是全球第四家的數百人全球性自主研發團隊，明年年底最新的製程技術(相當20奈米)即會就緒。
另一方面，針對華為事件，華邦電表示，對華為的出貨仍是不受影響，持續出貨中。
而在產能建置部分，華邦電中科廠產能從 4.4萬片提升至 5.2萬片，南科廠12吋晶圓廠也於去年10月展開建廠計畫，預計明年第三季完工，並於2021年投片量產，第一期會以DRAM為主，看客戶需求Nand flash再導入。
而在資本支出的部分，今年華邦電資本支出預定為215億元，主要用在南科廠的建廠投入，即便記憶體產業今年較為保守，但華邦電的資本支出今年計劃不變。
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