2015-01-01
〔記者黃佩君/台北報導〕經濟部投審會昨召開會議,通過聯電赴廈門投資12吋晶圓廠案,聯電及和艦共以7.1億美元(213億台幣)投資廈門聯芯集成電路製造。投審會執秘張銘斌表示此案以三大條件通過︰第一是聯電必須落實南科12吋晶圓廠投資計畫;第二是國內新增員工數3千人;第三是年均在台資本支出必須超過13億美元,且這三大條件都要在3年內完成。
投審會要求落實三條件
聯電申請以自有資金4.5億美元,及其在中投資的和艦科技資金2.6億美元,合計7.1億美元,間接投資聯芯,從事經營12吋晶圓鑄造、積體電路製造及銷售等業務。
經濟部工業局表示,聯芯註冊資本額為20.7億美元,其中聯電5年內將分期出資13.5億美元。投審會強調,聯芯只能生產40與55奈米製程產品,且聯電必須依規定向聯芯收取技術合作權利金;未來若聯電技術進步,聯芯要生產比40奈米更先進製程產品,必須重新走一次投審程序。
投審會也指出,聯電必須每季向投審會及工業局報告在兩岸投資具體進度,且在台3年投資額必須不低於39億美元;若聯電違反前述三大條件,投審會對其後續投資案將不准許申請。
工業局表示,聯電此次赴中雖開12吋晶圓先例,但完全符合規定。台資晶圓廠赴中需符合「製程技術須落後該公司在台之製程一個世代」,聯電目前所擁有最佳技術僅28奈米,赴中更僅為40與55奈米,符合標準;且台主要競爭對手三星已赴中投資12吋廠1X奈米製程,因此無技術外流疑慮。
工業局也強調,本案由經濟部關鍵技術小組進行審查,聯電公司於會中承諾未來在台將加強研發投入,於南科廠區研發中心開發14奈米與其他利基型產品,同時配合在南科持續擴產。
聯電去年10月9日通過董事會決議,與廈門政府及福建省電子信息集團簽訂參股協議書;聯電預計自今年起的5年內出資完畢,最後將約取得6成股權,在9席董事中取得6席。
2015-01-01
記者黃佩君/特稿
聯電12吋晶圓廠赴中趕在昨天通過,這份「元旦大禮」所開先例,恐成台灣半導體技術外流濫觴。然而最讓人震撼的不只是12吋外流中國,而是投審法規之鬆散;儘管中國對我半導體技術覬覦萬分,但只要台廠赴中參股一股,目前量產主力的技術就可外移。
經濟部投審會前年10月修正在中投資晶圓廠相關審查要點,儘管赴中設廠仍維持8吋限制,但併購與「參股」卻大開後門,從比該廠商最先進製程落後兩個製程(N-2)修正為一個製程(N-1)。然而參股這個後門,其嚴重程度卻不亞於允許直接設廠;因中國目前正是覬覦台廠技術,台廠以參股與中國地方合作,等於「被邀請入甕」;聯電貪圖廈門給予的種種投資優惠,卻恐將台晶圓龍頭地位拱手讓中。
當初公布此要點時,經濟部曾強調台灣最先進製程並無赴中動機,因此改為N-1不足貽患。但風水輪流轉,中國亟欲發展為半導體強國,對業界文攻武嚇、恩威並施,就是要業者留下技術。除端出6千億人民幣產業扶植基金補貼,又大舉以反壟斷做幌子,逼迫外商與中國業者合作,例如高通就不得不因反壟斷,乖乖交出28奈米技術。
外界分析聯電2016年在中投產時,28奈米早無賺頭,但赴中之路早已鋪好,只要有先例、投資關係建立起來,屆時更先進技術過去只需一場會、一張紙。兩岸產業競爭的種種溫水煮青蛙劇碼,如今換了產業重複上演,面板如今的命運,難道不是半導體的未來殷鑑?
聯電大陸布局/技術不外漏 工業局可望放行
2014-10-10 經濟日報 記者謝佳雯、吳父鄉/台北報導
經濟部工業局昨(9)日表示,聯電已就登陸參股12吋晶圓廠一案與經濟部多次溝通,並符合相關參股規定;若審查確定可提高競爭優勢,又不影響在台投資,應可予以放行。
聯電與廈門市政府的合作屬於登陸參股,有利於耕耘當地市場,與過去三安光電入股璨圓案不同。工業局表示,只要聯電在廈門的12吋廠符合與台灣落差一世代,並提高在台投資、研發和人力布局,就符合放行條件。
工業局指出,近年來中國大陸半導體市場快速成長,全球半導體產業朝中國移動趨勢明顯,國際大廠如英特爾、三星已陸續至中國大陸投資晶圓製造廠。
工業局認為,若我國業者能透過併購、投資參股等方式,掌握大陸的訂單及擴大業者掌控的產能,並利用其政策優惠,將有利於取得全球半導體市場有利地位,且擴大市場占有率。
聯電與廈門政府合資12吋晶圓廠訊息已傳出許久,聯電早已多次和兩岸政府磋商細節,工業局表示,聯電這項投資案符合政府對半導體業的參股、併購等相關規定,並承諾將依循經濟部法令規定申請赴大陸參股投資,未來將依程序進行審查。
據此規定,目前仍不允許業者登陸「新設」12吋晶圓廠,但「參股」是合法允許的,對參股比率也未設限;登陸投資者在台灣也應有相對應的投資,併購或參股投資的技術須為N-1個世代。
官員說,台灣半導體製程的先進技術已發展到2X奈米了,本次登陸參股僅為5X奈米,符合N-1世代的規範;大陸市場愈來愈大,近年並公布許多鼓勵半導體廠商在地生產的措施,若登陸能搶占大陸市場,又能享受大陸減稅、產業扶持等資源,工業局持平看待。
工業局指出,待收到聯電登陸投資申請後,將初審資格,通過後召集相關單位及專家學者組成關鍵技術小組審查,再決定是否放行。
聯電搶頭香 廈門設12吋廠
5年內將投資412億 合資成立公司
【蕭文康╱台北報導】台灣晶圓廠赴陸設12吋廠由聯電(2330)搶得頭香!聯電董事會昨通過決議,與廈門市人民政府及福建省電子信息集團簽訂參股協議書。依協議書約定,聯電將向主管機關申請參股廈門市人民政府與福建省電子信息集團合資成立公司,於福建省廈門市從事半導體製造,提供12吋晶圓專工服務。
9席董事將取得6席
據了解,聯電預計從2015年起5年內投資13.5億美元(約412.4億元台幣),依計劃進度分期出資,聯電財務長劉啟東強調,聯電的參股計劃,將依循中華民國現行法令的模式及技術,向主管機關申請許可後前往中國經營晶圓專工業務。
法人指出,聯電預計投資13.5億美元,初期雖未成為大股東但仍掌管晶圓廠營運,而自2015年起的5年內聯電最後將約取得6成股權,在9席董事中取得6席。而聯電投資該晶圓廠主要是看好中國未來內需市場中包括記憶卡及銀行卡等需求。
聯電執行長顏博文表示:「中國半導體內需市場的規模已經達到世界第一,惟現階段自製比重仍低,實際進口總額高於進口石油,金額非常龐大。在中國政府持續關注半導體產業的趨勢下,近期不斷提出許多政策,期望能加速提高內部設計與製造晶片的比例,多管齊下以扶植半導體產業。」
顏博文說,參與快速成長之中國內需市場最佳方式。顏表示:「廈門的風土、語言、氣候與台灣相似,具備地理及環境的優勢,加上良好工業基礎及技術人才供應,是個設立晶圓廠理想地點。」
最大月產能為5萬片
聯電目前在中國布局上,除持有蘇州和艦科技86.88%股權,主要提供中國及亞太地區客戶8吋晶圓專工服務外,未來參股公司將建置12吋晶圓廠。
先期將提供55奈米及40奈米的晶圓專工服務,規劃最大月產能為5萬片12吋晶圓,總投資金額可達62億元美元(約1894億元台幣)。
聯電於廈門合資設12吋廠計劃
項目/內容
.設廠地點:福建廈門
.新廠股本:約20多億(未定案)
.總投資金額:62億美元
.聯電投資金額:13.5億美元
.主要股東:廈門市人民政府及福建省電子信息集團
.未來聯電持股:未來最高可達6成,並佔9席董事中的6席
.製程技術:40/55奈米,主攻中國內需強的記憶卡、銀行卡晶片
資料來源:記者採訪整理
聯電大陸布局/洪嘉聰扮推手 再下一城
2014-10-10 經濟日報 記者 簡永祥
聯電插旗廈門12吋晶圓廠,擴大大陸布局,推動兩岸半導體業進一步交流,聯電董座洪嘉聰是最重要推手。
在洪嘉聰的帶領下,聯電近期「三喜臨門」。除了這次擴大大陸布局,還包括先前他一手促成聯電28奈米良率提升並獲得高通訂單,讓聯電間接打入蘋果供應鏈,以及與日本富士通合作,順利搶攻當紅的車用市場。
熟知內情的人士透露,這次是大陸官方主動找上聯電,包括蘇州、山東、西安等地,都有意邀請聯電參與12吋廠興建,相關計畫從一年前開始醞釀。由於台灣企業在大陸投資12吋廠是「歷來頭一遭」,連大陸國家主席席近平、國務院總理李克強都主動關切。
洪嘉聰為此幾乎跑遍大半個大陸,聽取各地官員簡報,最後因為廈門提供的待遇最優渥,同時也具有鄰近台灣的地利之便,因而中選。洪嘉聰昨(9)日開完董事會後,立刻飛往廈門,與廈門市長劉永清簽約。
聯電分析,大陸積極扶植當地半導體產業,未來要求在大陸製造科技產品所用的半導體元件,必須達到一定的自製率,在這項潛規則的運作下,與對岸合資設立12吋晶圓廠,是分食這塊大餅的最快方式。
洪嘉聰認為,大陸市場與物聯網應用,是縮短聯電與台積電差距的兩大機會。
因此,看準日本整合元件大廠(IDM)製程面臨瓶頸,洪嘉聰採取以40奈米低耗電技術作價方式,不出任何一毛錢即取得富士通新設公司9.3%股權。
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