DRAM貨源紓解，為晶豪科（3006）多晶片封裝記憶體（MCP）打開出貨瓶頸，出貨暴衝，加上編碼型快閃記憶體（NOR Flash）產能獲力晶和中芯支援，晶豪科本季營運衝勁十足，可望繳出亮眼成績單。
針對今年DRAM供需動向，力成總經理洪嘉鍮日前在法說會以全球記憶體封測龍頭角度，提出今年二大記憶體包括DRAM和Flash供需分析。
洪嘉鍮強調，今年新增的DRAM產能，仍無法滿足市場需求，尤其很多物聯和高速運算應用，都需要高速記憶體支援，預料今年DRAM還是相當穩健的一年；至於NAND Flash，外界擔心下半年產能大量開出，會導致價格快速下跌，這似乎是過度擔心，當價格更便宜，應用會更快速，他對今年記憶體看法仍然樂觀。
洪嘉鍮特別指出，原受限DRAM缺貨，導致整合Flasn和DRAM的MCP無法順利供貨，首季MCP在取得貨源打通瓶頸後，加上中低階安卓手機備貨強勁，本季出貨可望大增。
力成登高一呼，看好MCP市況，法人認為，國內最大MCP供應商晶豪科將是NAND Flash和DRAM供貨紓解最大受惠者。
法人指出，晶豪科MCP除供應中低階手機之外，還包括主要硬碟廠及4K電視、數位機上盒、行動網卡。據了解，在華為、中興等大陸主要品牌手機廠展開備貨，及東芝、威騰和希捷等硬碟廠，都轉向晶豪科追單，晶豪科在手訂單暴增，稍早晶豪科因無法滿足每個客戶訂單要求，被迫採取配售，如今在貨源獲得紓解下，出貨量可望激增。
此外， 晶豪科另一主力產品NOR Flash在力晶和武漢新芯等代工廠力挺下，上季投片量增加六成，隨本季產出增加，也可滿足強勁需求，為本季業績添動能。
晶豪科為國內利基型記憶體 IC設計公司，產品涵蓋EDO、SDRAM、DDR 及低耗電的行動式記憶體，廣泛應用於 電腦周邊、資訊家電、光儲存設備及消費性、通訊等系統。
快閃記憶體方面，晶豪科也有當紅的SLC 型儲存型快閃記憶體（NAND Flash）以及編碼型快閃記憶體（ NOR Flash） 。近來因應中低階智慧手機、系統級封裝（SiP）及固態硬碟（SSD）需求快速成長，公司以MCP為主力產品。
今年各種記憶體嚴重短缺，價格飆升，晶豪科先前一度苦於矽晶圓供貨短缺，接單出貨受阻，第3季單季合併營收僅比第2季微幅上揚至25.45億元，在匯兌損失等業外支出增加下，單季每股純益0.74元，低於第2季的1.16元。
不過，近期晶豪科在產能和接單都有相當大的突破，主因三星、SK海力士等主要DRAM大廠將資源轉進DDR4 DRAM，並調高行動式記憶體報價約10~15%，讓不少系統廠或手機廠轉向DDR3 DRAM掃貨。
據了解， 包括華為、中興等大陸手機廠，以及東芝、威騰和希捷等硬碟廠，都轉向晶豪科追單，晶豪科因無法滿足每個客戶訂單要求，被迫採取配售，反映缺貨問題嚴重。
據悉，晶豪科本季投片在力晶和武漢新芯等代工廠力挺下，比上季增加六成，更比第2季大增近一倍，反映訂單增幅強勁。
法人預估，晶豪科增加的拉高投片量對業績的正面效應，將於本月開始反映，預料11月單月營收可重新站上10億元，12月營收有機會超越今年3月，改寫單月歷史新高，且營收動能將可延續至明年第1季。晶豪科表示，未做財測，不對法人預估做評論。
《半導體》DRAM漲勢未歇，晶豪科Q1不淡
DRAM延續去年下半年漲價態勢，據研調機構集邦科技調查，今(3)日DDR4 4Gb顆粒現貨均價攀升至3.347美元，自今年以來漲幅達18%，對於擁有完整記憶體產品線的晶豪科(3006)將直接受惠，法人預估，今年首季營運不看淡。
回顧去年DRAM市場，去年上半年受到整體市場景氣轉淡，DRAM價格直落，下半年受惠於消費性電子產品需求帶旺，全球智慧手機的記憶體搭載量攀升，加上伺服器記憶體需求亦上揚，引領記憶體拉貨力道強勁，底定這波DRAM合約價上漲趨勢。
DRAM現貨市場漲勢不停歇，今日DDR4 4Gb顆粒上午盤現貨均價達3.347美元，創下18個月以來新高紀錄。晶豪科先前表示，主流標準型DRAM近期漲勢確立，特殊型應用的利基DRAM價格也會跟著上漲，在利多因素加持下，今年第1季營運可望較上季佳。
晶豪科於去年年中與宜揚完成合併，由於宜揚主要為NOR Flash IC設計廠商，在合併後晶豪科等於同時擁有DRAM、NOR Flash、NAND Flash完整記憶體產品線，除了在原本已發展的MCP多晶片封裝外，在營運尚可整合資源，推出DRAM、Flash的各項記憶體整合方案，強化競爭力。
(時報資訊)
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